Método Lely - Lely method
O método Lely , também conhecido como processo Lely ou técnica Lely , é uma tecnologia de crescimento de cristal usada para produzir cristais de carboneto de silício para a indústria de semicondutores . A patente desse método foi depositada na Holanda em 1954 e nos Estados Unidos em 1955 por Jan Anthony Lely da Philips Electronics . A patente foi posteriormente concedida em 30 de setembro de 1958, e foi refinada por DR Hamilton et al. em 1960, e por VP Novikov e VI Ionov em 1968.
Visão geral
O método Lely produz cristais de carboneto de silício a granel por meio do processo de sublimação . O pó de carboneto de silício é carregado em um cadinho de grafite , que é purgado com gás argônio e aquecido a aproximadamente 2.500 ° C (4.530 ° F). O carboneto de silício próximo às paredes externas do cadinho sublima e é depositado em uma haste de grafite perto do centro do cadinho, que está a uma temperatura mais baixa.
Existem várias versões modificadas do processo Lely, mais comumente o carboneto de silício é aquecido na extremidade inferior, em vez das paredes do cadinho, e depositado na tampa. Outras modificações incluem variação da temperatura, gradiente de temperatura , pressão de argônio e geometria do sistema. Normalmente, um forno de indução é usado para atingir as temperaturas exigidas de 1.800–2.600 ° C (3.270–4.710 ° F).
Veja também
Referências
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