Biswa Ranjan Nag - Biswa Ranjan Nag
Biswa Ranjan Nag | |
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Nascer |
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1 de outubro de 1932
Faleceu | 6 de abril de 2004
Calcutá , Bengala Ocidental , Índia
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(71 anos)
Nacionalidade | indiano |
Alma mater | |
Conhecido por | Estudos em semicondutores |
Prêmios | |
Carreira científica | |
Campos | |
Instituições | |
Orientador de doutorado |
Biswa Ranjan Nag (1 de outubro de 1932 - 6 de abril de 2004) foi um físico indiano e professor titular Sisir Kumar Mitra no Rajabazar Science College , University of Calcutta . Conhecido por sua pesquisa em física de semicondutores , Nag foi eleito membro da Indian National Science Academy e da Indian Academy of Sciences . O Conselho de Pesquisa Científica e Industrial , a agência máxima do Governo da Índia para a pesquisa científica, concedeu-lhe o Prêmio Shanti Swarup Bhatnagar de Ciência e Tecnologia , um dos maiores prêmios indianos de ciências por suas contribuições para as Ciências Físicas em 1974.
Biografia
Nascido em 1 de outubro de 1932, filho de Sailabala e Satyaranjan Nag em Comilla , uma cidade ao longo da Rodovia Dhaka-Chittagong na unida Bengala da Índia Britânica (atualmente em Bangladesh), BR Nag fez seus estudos de graduação no Presidency College, Calcutá durante 1949-1951 e obteve um mestrado em tecnologia (M.Tech.) do Instituto de Radiofísica e Eletrônica (IRE) no campus da Faculdade de Ciências Rajabazar da Universidade de Calcutá em 1954. Ele começou sua carreira em 1956 como membro do corpo docente do IRE e simultaneamente realizou estudos de doutorado, orientado por Arun K. Choudhury. Nesse meio tempo, ele passou um ano na University of Wisconsin obtendo um MS em 1959. O Sr. Nag voltou a Calcutá para retomar seu trabalho de doutorado e obteve seu PhD em 1961. Continuando sua carreira de professor, ele se tornou professor titular em 1968. Mais pesquisa que lhe rendeu o título de Doutor em Ciências pela Universidade de Calcutá em 1972. Ele cumpriu sua carreira acadêmica regular na universidade e continuou sua associação após sua aposentadoria em 1997 como seu professor Sisir Kumar Mitra. Nesse meio tempo, ele também atuou como Professor Visitante da Commonwealth em Bangor, Gwynedd .
Nag foi casado com Mridula Roy Choudhury e o casal teve dois filhos, Biswadeep e Mriduchanda. Ele morreu em 6 de abril de 2004 em Calcutá, aos 71 anos.
Legado
O trabalho de Nag se concentrou em semicondutores e ajudou a ampliar nossa compreensão dos fenômenos de transporte elétrico nesses sólidos de alta resistência elétrica . Durante seus primeiros anos na Universidade de Calcutá, ele liderou um grupo de alunos que estavam engajados nos estudos em medições de propriedades de semicondutores por microondas e fizeram pesquisas avançadas sobre o efeito Gunn e a radiação de microondas . Ele demonstrou a independência de temperatura do gás de elétron bidimensional e sua mobilidade limitada de espalhamento de liga, o que foi uma descoberta pela primeira vez. Seus estudos revelaram a natureza não parabólica da dispersão de energia de elétrons em poços quânticos estreitos e isso modificou a teoria de dispersão de rugosidade da interface, mobilidade limitada para poços quânticos com altura de barreira finita e largura de poço . Compostos Epitaxy Semiconductor III-V de fase líquida , efeito acústico-elétrico e absorção de portadores livres, razão de Gini e coeficiente de Si relacionado ao transporte galvanomagnético de elétrons quentes foram algumas das outras áreas de sua pesquisa. Ele contribuiu para o desenvolvimento da teoria do transporte de elétrons relacionada a semicondutores e desenvolveu um método de Monte Carlo para o cálculo de coeficientes relacionados à correlação de velocidade, difusão e parâmetros de ruído. Seu corpo de trabalho é relatado como tendo relevância para os campos de comunicações por microondas e radar , especialmente no desenvolvimento de dispositivos semicondutores de microondas. Seus estudos foram documentados por meio de uma série de artigos e o repositório de artigos da Academia de Ciências da Índia listou 190 deles. Ele foi o autor de três monografias, Teoria do transporte elétrico em semicondutores , Física de dispositivos quânticos de poços e Transporte de elétrons em semicondutores compostos, das quais o último mencionado é relatado como um texto de referência significativo para pesquisadores. Ele também contribuiu com capítulos para livros publicados por outras pessoas e seu trabalho recebeu citações em vários livros.
Premios e honras
Nag, um bolsista fundador da Academia Nacional de Engenharia da Índia , recebeu o Prêmio JC Bose Memorial do Instituto Britânico de Engenheiros de Rádio em 1964. O Conselho de Pesquisa Científica e Industrial concedeu-lhe o Prêmio Shanti Swarup Bhatnagar , um dos maiores prêmios da ciência indiana prêmios em 1974. Ele foi selecionado para o Jawaharlal Nehru Fellowship em 1975 e a Indian National Science Academy o elegeu como um companheiro em 1978; a academia iria homenageá-lo novamente em 1993 com o Prêmio INSA de Ciência dos Materiais. Ele se tornou um membro eleito da Academia Indiana de Ciências . O departamento de rádio física e eletrônica da Universidade de Calcutá instituiu uma conferência anual, Conferência Internacional sobre Computadores e Dispositivos para Comunicação (CODEC) , em sua homenagem em 1998, um ano depois de Nag se aposentar do serviço acadêmico.
Bibliografia selecionada
Livros
- BR Nag (1972). Teoria do transporte elétrico em semicondutores . Pergamon Press . ISBN 9780080168029.
- BR Nag (11 de abril de 2006). Physics of Quantum Well Devices . Springer Science & Business Media . ISBN 978-0-306-47127-8.
BR Nag (6 de dezembro de 2012). Transporte de elétrons em semicondutores compostos . Springer Science & Business Media. ISBN 978-3-642-81416-7.
Capítulos
- Instituição de Engenheiros (Índia). Metallurgy & Material Science Division (1967). Jornal da Instituição de Engenheiros (Índia). Parte MM, Divisão de Mineração e Metalurgia . A Instituição .
- Institution of Engineers (India) (julho de 1968). Jornal da Instituição de Engenheiros (Índia) . A instituição.
- K. Lal (2 de dezembro de 2012). Síntese, crescimento e caracterização de cristais . Elsevier Science . pp. 426–. ISBN 978-0-08-098469-8.
Artigos
- PK Basu, BR Nag (1984). "Espalhamento de liga de mobilidade limitada de gás de elétron bidimensional formado em In0.53Ga0.47As". Surface Science . 142 (1–3): 256–259. Bibcode : 1984SurSc.142..256B . doi : 10.1016 / 0039-6028 (84) 90317-0 .
- BR Nag, Sanghamitra Mukhopadhyay (1992). "Polar Optic Phonon Scattering Limited-Mobility in Narrow Quantum Wells". Jornal Japonês de Física Aplicada . 31 (3287): 3287–3291. Bibcode : 1992JaJAP..31.3287N . doi : 10.1143 / JJAP.31.3287 .
- BR Nag (1994). "Ga0,47 In0,53 As - O material para dispositivos de alta velocidade". Pramana . 23 (3): 411–421. Bibcode : 1984Prama..23..411N . doi : 10.1007 / BF02846585 . S2CID 118182971 .
- Nag, BR (1997). "Uma relação empírica entre o ponto de fusão e o bandgap direto de compostos semicondutores". Journal of Electronic Materials . 26 (2): 70–72. Bibcode : 1997JEMat..26 ... 70N . doi : 10.1007 / s11664-997-0090-z . S2CID 59477276 .
- KP Ghatak, BR Nag (1998). "Uma análise teórica simples da relação de Einstein em filmes ultrafinos de bismuto sob campo magnético quantizador". Jornal de Física e Química dos Sólidos . 59 (3): 411–415. Bibcode : 1998JPCS ... 59..411G . doi : 10.1016 / S0022-3697 (97) 00196-0 .
- BR Nag, Madhumita Das (2001). "Potencial de espalhamento para espalhamento de rugosidade da interface". Ciência Aplicada de Superfícies . 182 (3–4): 357–360. Bibcode : 2001ApSS..182..357N . doi : 10.1016 / S0169-4332 (01) 00448-2 .
- BR Nag (2004). "Mobilidade de elétrons em nitreto de índio". Journal of Crystal Growth . 269 (1): 35–40. Bibcode : 2004JCrGr.269 ... 35N . doi : 10.1016 / j.jcrysgro.2004.05.031 .
Veja também
Notas
Referências
links externos
- Kamakhya Prasad Ghatak; Sitangshu Bhattacharya (20 de julho de 2010). Energia Termoelétrica em Materiais Nanoestruturados: Campos Magnéticos Fortes . Springer Science & Business Media. pp. 5–. ISBN 978-3-642-10571-5.
- Nag, BR (2017). Transporte de elétrons em semicondutores compostos . Índice . Springer Series in Solid-State Sciences. 11 . doi : 10.1007 / 978-3-642-81416-7 . ISBN 978-3-642-81418-1.